อุปกรณ์เอฟเฟกต์ฮอลล์

แพลตฟอร์มการจำแนกลักษณะการขนส่งไฟฟ้าขั้นสูง

DX -3000 เป็นแพลตฟอร์มการทดสอบแบบมัลติฟังก์ชั่นที่ออกแบบมาสำหรับการวิเคราะห์ที่ครอบคลุมของคุณสมบัติการขนส่งทางไฟฟ้า มันรวมเอฟเฟกต์ฮอลล์, magnetoresistance และการจำแนกลักษณะ IV ในระบบรวมเดียว โดยการเพิ่มประสิทธิภาพการเลือกเครื่องมือและกำจัดความซับซ้อนของการเดินสายด้วยตนเอง (การตั้งค่าห้อง/อุณหภูมิต่ำ) จะปรับปรุงการเก็บข้อมูลเพื่อความแม่นยำและการทำซ้ำ เข้ากันได้กับแม่เหล็กไฟฟ้าหรือแม่เหล็กตัวนำยิ่งยวด (สามารถกำหนดค่าได้ของผู้ใช้) รองรับโพรบตัวอย่างอัจฉริยะและซอฟต์แวร์ที่ปรับแต่งได้สำหรับการวัดที่รวดเร็วและอัตโนมัติ

• เวิร์กโฟลว์ที่มีประสิทธิภาพ: การ์ดตัวอย่างแบบแยกส่วนเปิดใช้งานการติดตั้งอย่างรวดเร็ว (รองรับ 2-4 ตัวอย่างพร้อมกันพร้อมกับส่วนเสริม)
• ช่วงการวัดที่กว้าง: การวิเคราะห์ความต้านทานจาก 0. 1MΩถึง100GΩ (ขยายได้ผ่านโมดูลแรงดันสูง/อิมพีแดนซ์สูง)
• การทดสอบแบบปรับตัว: พารามิเตอร์ฟิลด์ปัจจุบัน/สนามแม่เหล็กที่ตั้งโปรแกรมได้สำหรับฮอลล์แบบไดนามิกและการประเมินความต้านทาน
• การสร้างภาพแบบเรียลไทม์: ซอฟต์แวร์อัตโนมัติสร้างผลลัพธ์ระดับกลางเส้นโค้ง (IV, RT, RH) และพารามิเตอร์สุดท้าย (ความหนาแน่นของผู้ให้บริการ, การเคลื่อนย้าย, การต้านทานแผ่น)
• ความยืดหยุ่นแม่เหล็ก: การรักษาเสถียรภาพแบบศูนย์สนามความเสถียรในระยะยาวและการควบคุมภาคสนามอย่างรวดเร็วผ่านตัววัดเกาส์แบบบูรณาการ
• อุณหภูมิอุณหภูมิ: โมดูล cryogenic เสริม (1.6K - 800K) สำหรับการศึกษาสภาพแวดล้อมที่แปรผัน

• เซมิคอนดักเตอร์: Sige, Ingaas, HGCDTE, SIC, Algaas ฯลฯ
• ภาพยนตร์นำไฟฟ้า: โลหะ, โครงสร้าง TMR, ออกไซด์โปร่งใส
• พื้นผิวที่มีความต้านทานสูง: กึ่งฉูดฉาด GAAS, CDTE, GAN

1. การวิเคราะห์ผลกระทบของฮอลล์:
   เอาท์พุท: ความต้านทาน, ค่าสัมประสิทธิ์ฮอลล์, ประเภทของผู้ให้บริการ/ความเข้มข้น, การเคลื่อนย้าย
2. การทำโปรไฟล์ Magnetoresistance:
   ตัวชี้วัด: ΔR, ΔR/R%, เส้นโค้ง RH
3. การจำแนกลักษณะแบบไดนามิก:
   การทำแผนที่ IV ที่อุณหภูมิ/ฟิลด์ตัวแปร
   ความต้านทานขึ้นอยู่กับอุณหภูมิ (RT) ภายใต้เขตข้อมูลคงที่

โมดูลไฟฟ้า: Keithley Precision Instruments (แหล่งที่มาปัจจุบัน, Nanovoltmeters, สวิตช์เมทริกซ์)

ตัวเลือกแม่เหล็ก:

• dx -100: 1.5T สูงสุด (ขั้ว 60 มม., ± 1% สม่ำเสมอ)
• dx -130: 2.5T สูงสุด (ขั้ว 100 มม.)
• dx -180: 2.7t สูงสุด (เสา 120 มม.)

การควบคุมความร้อน(ไม่จำเป็น):

ไนโตรเจนเหลว (80–500K), แช่แข็ง (4–325K), ตู้เย็นขนาดกะทัดรัด (45–325K)

ขนาดตัวอย่าง:

• การ์ดขนาดเล็ก/โพรบ: 12x12mm²ถึง30x30mm²
• การ์ดขนาดใหญ่: 50x50mm²

ขีด จำกัด ไฟฟ้า:

• ปัจจุบัน: ± 100pa - 100ma (ความละเอียด: 100pa)
• แรงดันไฟฟ้า: ± {{0}}. 1μv - 30v (ความละเอียด: 0.1μv)
• ความหนาแน่นของผู้ให้บริการสูงสุด: 1 ×10⁸cm⁻³

เกณฑ์ความแม่นยำ:

• ความไม่แน่นอนของสนาม/ความหนา<1%.
• อัตราส่วน B-field/ความหนาที่ดีที่สุด: 1t/mm

• การเตรียมตัวอย่าง: รองรับ 4-/6- การกำหนดค่าลวด
• ซอฟต์แวร์: ระบบอัตโนมัติเต็มรูปแบบพร้อมการบันทึกข้อมูลการปรับเส้นโค้งและการสกัดพารามิเตอร์
• การปฏิบัติตาม: การใช้พลังงานต่ำ (<1mV sample excitation).

การวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์, การศึกษาวัสดุแม่เหล็ก, การตรวจสอบอุปกรณ์แบบฟิล์มบางและวิทยาศาสตร์วัสดุขั้นสูง

(หมายเหตุ: การกำหนดค่าที่กำหนดเองสำหรับการตั้งค่าห้องปฏิบัติการที่มีอยู่หรือข้อกำหนดพิเศษ)